Einführung in die Stromversorgung: So erhöht GaN die Leistungsdichte
In diesem Video erläutern wir, wie GaN die Leistungsdichte erhöht und welche Vorteile die Verwendung von GaN-Leistungstransistoren in Stromversorgungen bietet. Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das bei der Verwendung in Leistungstransistoren mehrere Leistungsvorteile gegenüber Silizium bietet. GaN-Transistoren haben geringere Leitungs- und Schaltverluste, schnelleres Schalten und eine bessere Wärmeleitfähigkeit als Silizium. Dies ermöglicht kleinere Transformatoren, Induktivitäten und Kondensatoren, was zu einer höheren Leistungsdichte führt.
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